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          SSDI最新全GaN Power FETS SGR15E90M

              SSDI最新的密封GaN FET器件SGR15E90M在輸入端使用GaN FET代替硅MOSFET,以增強抗輻照性能。SGR15E90M的共源共柵器件結構包括輸出端的高壓耗盡型GaN FET和輸入級的低壓增強型GaN FET。輸入端的GaN FET提供+6至-4 V的柵源電壓,并且由于氮化鎵本身具有比SI MOSFET更高的抗輻照性能。SSDI為高可靠性航空航天和國防應用提供最高電壓的密封GaN FETs for產品最高可達1000 V)。憑借其增強的輻射耐受性,SGR15E90M是空間應用(近地和深空)的理想選擇,如DC-DC / PoL轉換器、電機控制器和開關模式電源。SGR15E90M目前采用TO-254封裝。同樣,SSDI可以滿足客戶的設計規格完成產品的具體封裝。

          特性
          ? 第三代氮化鎵技術
          ? 結合 HV 耗盡模式 GaN 和 LV 增強模式 GaN 驅動器(共源共柵)以獲得卓越的性能
          ? 固有的輻射耐受性
          ? 低 RDS(on)
          ? 低 Qg 簡化了柵極驅動電路
          ? 用于高頻應用的非常快速的開關
          ? 低熱阻
          ? 密封封裝
          ? TX、TXV 和 S 級篩選可用

          SGR15E90M有著15A和900V。它柵極電荷典型值為10 nC,RDS(on)典型值為160mω。與傳統硅MOSFETs相比,這些器件具有低品質因數、低傳導損耗和低交越損耗,可以實現更快的開關速度和更高的效率。